㈜이오메모리, DDR3 PC3-8500 1GB 2GB 제품 발표

- 성능향상 , 광대역 폭 800~1600Mhz
- 향상된 저 소비전력(1.5V) 기능
- 램타이밍 : 7-7-7 CL7
- 80 나노 제품

하이닉스 메모리의 국내 공식 A/S와 마케팅을 담당하고 있는 ㈜이오메모리(대표: 김성학, www.eoelectronics.com)는 대용량인 1GB, 2GB PC3-8500 CL7 제품을 발표한다고 밝혔다.

소비전력이 적어야 하는 메인 메모리 응용 분야에 적합. DDR3 SDRAM의 내부 파이프라인 데이터 패스와 8비트 프리페치(PREFETCH)와 같은 기능 때문에, 차세대 응용분야에 필요한 광대역 폭을 구현 할 수 있다고 말한다.

또한 HYNIX는 美 인텔社로부터 80나노 공정기술로 제작된 1Gb DDR3 단품 뿐만 아니라, 이 단품을 이용하여 만든 PC용 고용량 모듈도 함께 인증 받았다는 점이다.

3분기는 80나노 제품을 양산 할 예정이며, 올해 말에는 66나노 공정에 제품도 양산 계획을 가지고 있으며, 특히, DDR2은 800Mbps까지 동작하였으나, DDR3는 1600Mbps까지 가능하여 컴퓨터의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다고 말한다. DDR2와 또 다른 부분은 기본전압이 1.8V에서 1.5V로 전력 소비가 25% 이상 줄어 든 절전형 제품이라는 점. 에너지 효율화 추세에도 부합하다고 마케팅 담당자는 말한다.

㈜이오메모리는 국내 ASUS P5K3-Deluxe, GIGABYTE P35C-DS3R와 현재 테스트를 하고 있다.

문의 : ㈜이오메모리 (02-2120-3901)