싸이프레스, 고속 비휘발성 SRAM 4-Mbit nvSRAM 출시

고성능 혼합-시그널 프로그래머블 솔루션을 제공하고 있는 싸이프레스 코리아 (지사장 손병세 www.cypress.com)는 4-Mbit nvSRAM (비-휘발성 SRAM)을 발표했다.

싸이프레스의 새로운 4-Mbit nvSRAM 제품은 15 ns 이하의 낮은 액세스 타임, 무한 읽기, 쓰기 및 리콜 사이클, 20년 간의 데이터 보존 등을 특징으로 한 디바이스로 컴퓨팅, 자동차, 산업 및 사무실용 애플리케이션에서 고속의 비-휘발성 데이터를 위한 최상의 솔루션을 제공한다.

nvSRAM은 배터리에 의한 SRAM과 비교하여 보드 공간과 설계의 복잡성을 줄여주며, MRAM이나 FRAM 메모리 보다 더욱 경제적이며 안정적이다. 새로운 nvSRAM 제품은 또한 현재 대량생산 중인 256K와 1-Mbit nvSRAM 디바이스를 포함한 싸이프레스의 nvSRAM 시리즈 제품의 최신 제품이다.

새로운 4-Mbit nvSRAM은 싸이프레스의 S8 0.13-micron SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) 임베디드 비-휘발성 메모리 기술로 제조된 최초의 제품으로 더 큰 집적도와 액세스 타임 및 성능 향상을 가능하게 해 준다. SONOS 프로세스 기술분야의 주도적 업체 인 싸이프레스는 차세대 PSoC 혼합-시그널 어레이, OvationONS 레이저 네비게이션 센서, 프로그래머블 클록 및 기타 제품들에 이 S8 기술을 이용할 것이다. SONOS는 표준 CMOS 기술과의 호환에 아무런 문제가 없으며, 높은 내구성, 저전력, 방사선 경도 등을 포함한 많은 장점들을 제공한다. 이와 함께, SONOS는 다른 임베디드 비-휘발성 메모리 기술들과 비교하여 보다 견고하게 제조 가능한 비용 효율적인 솔루션을 제공한다.

손병세 싸이프레스 코리아 지사장은 “nvSRAM은 많은 애플리케이션에서 요구하는 모놀리식 (monolithic) 고성능 솔루션으로 싸이프레스의 전통적인 2가지 강점인 SRAM과 비-휘발성 메모리를 결합시킨 제품입니다. 이와 함께, 싸이프레스는 이들 제품을 위해 업계에서 가장 폭넓은 유통망과 최상의 지원 서비스를 제공하고 있습니다.” 라고 말했다.

4-Mbit nvSRAM은 512-Kbit x 8 (CY14B104L) 또는 256-Kbit x 16 (CY14B104N) 구성에서 활용할 수 있다. RoHS(유해물질사용제한) 규제를 만족 시키는 4-Mbit nvSRAM은 배터리 없이 안정적인 비-휘발성 데이터 스토리지를 제공하면서 SRAM, 배터리로 지원되는 SRAM, EPROM 와 EEPROM 디바이스를 직접 대체한다.

싸이프레스의 4-Mbit nvSRAM은 현재 샘플 제품이 나와 있으며, 대량생산은 2008년 1분기로 예정되어 있다. nvSRAM의 사진은 다음 웹사이트에서 다운로드 받을 수 있다. (www.cypress.com/NVSRAMphoto)

싸이프레스의 nvSRAM은 배터리 대신 외장 콘덴서에 저장된 충전을 사용함에 따라 표준 PCB 조립공정과 호환이 가능하다. 이 디바이스는 4-Mbit/3V 1-Mbit/3V, 256-Kbit/3V, 256-Kbit/5V, 64-Kbit/5V, 16-Kbit/5V 구성에서 활용할 수 있다. 이 디바이스는 또한 작은 32-pin SOIC 패키지와 48-pin SSOP 패키지에서 활용 가능한 1-Mbit 및 256-Kbit 디바이스로 확장성이 아주 뛰어난 제품이다. 4-Mbit 디바이스는 44 TSOPII 와 54 TSOPII에서 활용할 수 있다.

RAID 애플리케이션에서 nvSRAM은 고속으로 데이터를 전송하는 반면 정전의 경우에는 데이터를 보전한다. 복사기에서 nvSRAM은 빠른 데이터 액세스를 전달하여 배터리의 필요성을 없애준다. 싸이프레스의 nvSRAM 제품군과 관련한 보다 자세한 내용은 다음 웹사이트를 참조할 수 있다. (www.cypress.com/NVM)