다양한 전자제품군에 솔루션을 제공하고 있는 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)는 메모아 시스템즈(Memoir Systems, 이하 메모아)와의 협업을 통해 메모아의 혁신적인 알고리즘 메모리 기술(Algorithmic Memory Technology)을 자사의 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI: Fully-depleted silicon-on-insulator) 공정으로 생산되는 주문형 반도체 및 시스템온칩의 임베디드 메모리에 적용할 수 있게 되었다고 밝혔다.

메모아의 알고리즘 메모리 기술을 ST의 FD-SOI 공정을 사용해 생산된 제품에 적용하면, 소비 전력 및 성능에서 상당한 이점을 얻을 수 있어 더욱 우수한 성능 구현이 가능하며, FD-SOI로 소프트 에러율(SER, Soft Error Rate)은 낮아지고 누설 전류도 극소화되어 네트워킹, 교통, 의료, 항공우주 등과 같이 업무 수행력이 탁월해야 하는 영역에서 더욱 가치를 발할 것이라고 회사측은 강조했다.

ST 설계 상용화 및 서비스 부문 필립 마가색(Philippe Magarshack) 수석 부사장은 "ST의 FD-SOI 공정 기술 자체로도 다른 공정 기술을 사용한 디바이스보다 더 빠르고 발열이 적은 ASIC과 SoC의 제조가 가능하다"며, "이제 메모아 시스템즈社의 탁월한 IP를 더하여 FD-SOI는 더욱 매력적인 공정이 됐고, 포팅이 얼마나 간단한지 잘 보여줄 수 있었다"고 말했다.

메모아 시스템즈 선더 아이어(Sundar Iyer) 공동 창립자 겸 CEO는 "우리는 획기적인 메모리 기술, 설계 시간 단축, 뛰어난 성능 구현에 신념을 갖고 일해왔으며, 우리의 뛰어난 알고리즘 메모리 기술을 ST의 FD-SOI에 적용한 것은 우리는 물론이고, 고객들에게도 매우 의미 있는 일이다.” 며 “우리가 확인한 성능과 쉬운 포팅을 보면, FS-SOI는 더 빠르고, 발열은 적고, 더 간단한 공정임에 틀림없다"고 전했다.

ASIC 주요 제조사인 ST는 기존의 평면 벌크-실리콘(Bulk-silicon) 제조방식을 확장, 단순화하는 FD-SOI 공정 기술을 도입한 최초의 반도체 회사이다. ST의 FD-SOI 트랜지스터는 개선된 정전기 특성과, 짧은 채널 길이로 벌크 CMOS를 이용해 만들어진 동급 트랜지스터 대비 더 높은 주파수에서 작동한다.

김원영 기자 goora@noteforum.co.kr

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