삼성전자가 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다.

삼성전자는 지난 달부터 10나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다. 2016년 2월에 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다.

삼성전자는 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있게 되었다.

삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해, 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.

김원영 기자 goora@noteforum.co.kr

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