싸이프레스, 업계 최초의 65-nm 공정기술 SRAM 발표

싸이프레스 코리아 (지사장 임영도, www.cypress.com)는 업계 최초로 65-nm 선폭 상의 QDR™ (Quad Data Rate™) 및 DDR (Double Data Rate) SRAM 디바이스 제품을 샘플링하고 있다고 발표했다.

새로운 72-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII & DDRII+ 메모리는 파운드리 파트너 업체인 UMC와 함께 개발한 공정 기술을 잇는 제품들이다. 새로운 SRAM은 90-nm SRAM 전력의 절반만 이용하면서 36-bit I/O width QDRII+ 디바이스에서 업계에서 가장 빠른 550 MHz의 클록 스피드와 80 Gbps의 total data rate가 특징인 제품이다.

이 SRAM은 인터넷 코어 및 에지 라우터, 고정 및 모듈러 이더넷 스위치, 3G 기지국 및 시큐어 라우터 등을 포함한 네트워킹 애플리케이션용으로 적합하며, 의학 화상 (medical imaging) 및 군대의 시그널 프로세싱 시스템 성능 또한 높여준다. 아울러, 이 SRAM은 90-nm SRAM과 핀 호환이 가능함에 따라 네트워킹 고객들이 동일한 보드 레이아웃을 유지하는 반면 성능과 포트 집적도는 향상 시킬 수 있도록 해 준다.

이전 90-nm과 비교하여, 65-nm QDR 및 DDR SRAM은 60%까지 인풋 및 아웃풋 전기 용량을 더 낮춰준다. QDRII+ 와 DDRII+ 디바이스는 외부 터미네이션 저항기를 없앰으로써 신호 안정성을 향상시키고 시스템 비용은 줄여주며 보드 면적을 절감시켜 주는 ODT (On-Die Termination)을 가지고 있다. 65-nm 디바이스는 Delay Locked Loop (DLL) 대신 Phase Locked Loop (PLL)을 이용하며, 그로 인해 35% 더 폭넓은 data valid window로 고객의 개발 시간과 비용을 줄여준다.

"타겟 시장을 확대하고 시장 점유율을 높이기 위해 싸이프레스는 동기식 SRAM 포트폴리오 를 지속적으로 확대해 나가고 있습니다. 싸이프레스는 SRAM 시장을 장기적으로 지원하면서 주도적 위치를 구축하고자 노력하고 있습니다" 라고 임영도 싸이프레스 코리아 지사장은 말했다.

65-nm QDRII, QDRII+, DDRII 및 DDRII+ SRAM은 현재 모두 샘플링 중이며, 대량 생산은 2009년 3분기로 예정되어있다. 각 디바이스는 I/O width (x18 또는 x36), burst length (B4 도는 B2) 그리고 latency (1.5, 2.0 또는 2.5)를 기반으로 한 멀티플 구성에서 활용할 수 있다. 65-nm 72-Mbit SRAM은 표준 165-pin FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) 패키지에서 사용할 수 있으며, 편리한 이동을 위해 기존 90-nm QDR 및 DDR 디바이스와 핀-호환이 가능하다. QDRII+ SRAM 사진은 www.cypress.com/go/pr/65nmQDRSRAMphoto 에서 확인할 수 있다.