싸이프레스, 새로운 시리얼 비-휘발성 SRAM 제품군 발표

2009.10.08 컴퓨팅 편집.취재팀 기자 :

 

싸이프레스, 새로운 시리얼 제품군으로 비-휘발성 SRAM
포트폴리오 확대와 함께 통합 리얼-타임 클록 기능 추가 발표

 

싸이프레스 코리아(지사장 임영도, www.cypress.com)는 통합 리얼 –타임 클록 (RTC) 기능과 함께 새로운 1-Mbit 시리얼(serial) 비-휘발성 SRAM (nvSRAM) 제품군과 8-Mbit nvSRAM을 발표했다.

 

싸이프레스의 nvSRAM은 보다 큰 집적도와 향상된 액세스 시간 및 성능을 가능하게 하는 S8™ 0.13-micron SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) 임베디드 비-휘발성 메모리 기술로 제조된다. nvSRAM은 RAID 시스템, 산업 컨트롤 및 자동화 (PLC, 모니터 컨트롤, 모터 드라이브 및 로봇), 싱글 보드 컴퓨터, POS 단말기, eMetering, 자동차, 의료 및 데이터 통신 시스템 등과 같은 순수 비-휘발성 데이터 보안을 필요로 하는 애플리케이션용으로 이상적인 솔루션이다.

 

 

새로운 시리얼 nvSRAM 제품군은 업계 표준의 SPI 인터페이스와 함께 다중 구성에서 1-Mbit 디바이스를 포함하고 있다. 스몰-풋프린트 8-pin DFN과 16-pin SOIC 패키지에서 활용할 수 있는 시리얼 nvSRAM은 최고 40 MHz의 작동 주파수가 특징이다. 시리얼 nvSRAM 제품군의 한 제품은 RTC를 또한 통합하고 있다.

 

싸이프레스의 패러렐 nvSRAM은 20ns 이하의 액세스 타임, 무한 읽기, 쓰기 및 리콜 사이클, 최고 20년의 데이터 보존 등이 특징이다. 새로운 4-Mbit 와 8-Mbit nvSRAM은 백업을 위한 중요 데이터의 타임-샘플링 기능을 가능하게 하며 프로그래머블 알람 기능 및 감시 타이머 기능을 특징으로 한 RTC를 통합하고 있다. 싸이프레스의 nvSRAM 제품 포트폴리오와 관련한 보다 자세한 내용은 www.cypress.com/go/NVM 에서 확인할 수 있다.

 

"새로운 시리얼 제품군은 업계 표준의 low-pin 카운트 패키지에서 높은 내구성의 메모리를 필요로 하는 애플리케이션에 적합한 싸이프레스의 nvSRAM 포트폴리오를 확대한 것 입니다. 마찬가지로 싸이프레스 nvSRAM에서 리얼-타임 클록을 통합하는 것은 전통적으로 BBSRAM 에서 제공하는 애플리케이션을 커버하기 위한 싸이프레스의 포트폴리오를 가능하게 해 줍니다"라고 임영도 싸이프레스 코리아 지사장은 말했다.

 

싸이프레스의 nvSRAM은 유해물질규제준수 제품이며 배터리 없이 빠른 비-휘발성 데이터 스토리지를 제공하는 SRAM, 배터리 지원의 SRAM (BBSRAM) 과 EEPROM 디바이스를 직접 대체한다. SRAM에서부터 디바이스의 비-휘발성 요소까지의 데이터 전송은 파워 다운에서 자동으로 이뤄진다. 파워 업에서 데이터는 비-휘발성 메모리에서부터 SRAM으로 저장된다. 두 가지 작동 모두 소프트웨어 제어 하에서 또한 가능하다. 이와 함께 nvSRAM은 보드 공간과 설계의 복잡성을 줄여준다.

 

SONOS 공정 기술의 주도적 업체인 싸이프레스는 차세대 PSoC 혼합-시그널 어레이, 프로그래머블 클록 및 기타 제품들에서 S8 기술을 이용하고 있다. SONOS는 표준 CMOS 기술과 호환되며, 높은 내구성, 저전력, 방사능 견고성 등을 포함한 많은 장점들을 제공한다. 이와 함께 SONOS 기술은 다른 마그네틱 혹은 ferroelectric 기반의 비-휘발성 메모리 기술들과 비교하여 보다 견고하고 제조가 쉽고 확장 가능한 솔루션을 제공한다.

 

싸이프레스의 1-Mbit 시리얼 nvSRAM은 128k x 8 구성에서 활용할 수 있으며, 현재 대량 생산 중이다. CY14B101Q1 와 CY14B101Q2 디바이스는 8-pin DFN 패키지에서 활용할 수 있다. 또한, RTC 기능을 가진 CY14B101P 시리얼 디바이스와 CY14B101Q3은 16-pin SOIC 패키지에서 활용할 수 있다.

 

RTC 기능을 가진 4-Mbit nvSRAM 은 512k x 8 (CY14B104K) 과 256k x 16 (CY14B104M) 구성에서 사용할 수 있으며, 현재 대량 생산 중이다. 또한, RTC 기능을 가진 8-Mbit nvSRAM 은 1024k x 8 (CY14B108K)과 512k x 16 (CY14B108M) 구성에서 활용할 수 있으며, 현재 샘플링 중이며 대량 생산은 2010년 1분기 초로 예정되어 있다. 4-Mbit와 8-Mbit 디바이스는 44-pin 과 54-pin TSOP II 패키지에서 모두 활용할 수 있다.

 

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