온세미컨덕터, 디지털 및 혼합 신호 ASIC용
0.18 μm CMOS 제조 공정 저가에 출시

- 자동차, 산업, 의료 및 군사 산업 고객사들을 위한 고집적 저전력 설계 기술

고성능, 고효율의 실리콘 솔루션 전문기업 온세미컨덕터(Nasdaq: ONNN, 지사장 이종덕)가 가격 경쟁력과 산업 호환성을 갖춘 0.18μm CMOS 공정 기술 출시로 맞춤형 파운드리 능력을 강화했다.

ONC18 공정은 자동차, 산업 및 의료 애플리케이션용 저전력 및 고집적 디지털/혼합-신호 ASIC(주문형 반도체) 소자 개발에 이상적인 플랫폼이다. ONC18 기반의 솔루션은 오리건주(Oregon), 그레셤(Gresham)에 위치한 온세미컨덕터의 8인치 와이퍼 조립 공장에서 제조될 예정인데 이로써 ITAR호환 파트너와 함께 자국 내 제품을 찾고 있는 미 육군의 애플리케이션 설계자들이 이 솔루션에 큰 관심을 보일 것으로 기대된다.

온세미컨덕터 주문형/파운드리 산업부의 총괄 매니저 겸 책임자인 릭 휘트콤(Rick Whitcomb)은 "자동차, 산업, 의료 및 군사 분야의 설계자들은 ONC18을 이용해 집적된 저전력 디지털과 혼합신호 ASIC을 저렴한 비용으로 신속하게 개발할 수 있을 것이다"라고 말하며 "당사의 칩 가공 자가능력이 미 육군 고객사들에게 유용할 것으로 보이며 향후 예정된 공정 개발은 주문형 파운드리 사업에 주력하고 있는 온세미컨덕터의 의지를 나타낸다"고 덧붙였다.

최대 10M게이트를 요구하는 ASIC에 적합한 ONC18 공정은 4단계와 6단계의 금속층을 특징으로 하며 설계자들은 이 공정을 이용해 1.8V 코어 전압을 1.8V와 3.3V 입/출력(I/O)와 통합할 수 있다. 혼합 신호 설계용 부품으로는 다양한 레지스터와 아주 적은(10fF/μm2) 고도의(2.0 fF/μm2) 적층형 MIM(metal-insulator-metal) 커패시터가 포함된다. 이러한 기초 공정은 광범위한 모듈의 0.18 마이크론 BCD와 고전압 로드맵을 지원한다.

온세미컨덕터의 새로운 공정은 포괄적인 코어, I/O 및 메모리 라이브러리를 제공하는 설계 키트와 함께 지원된다. 게이트 밀도와 고밀도 코어/혼합 신호 코어 셀에 대한 전력 소비는 각각 124 K gates/mm2, 46μW/MHz/gate, 120 K gates/mm2, 28 μW/MHz/gate이다.

메모리 옵션으로는 1.1M 비트 동기의 싱글 포트, 512K 비트 듀얼 포트 SRAM, 1.1M비트의 고정밀, 저누수 VIA-프로그래머블 ROM이 포함된다. ONC18 플랫폼 개발을 통해 향후 온세미컨덕터는 더욱 향상된 혼합 신호 성능과 더 높은 전압 처리 서비스 능력을 확보하게 될 것이다.

새로운 공정 설계 방법은 Cadence?, Synopsys? 및 Mentor Graphics?의 일반적인 디지털 및 아날로그/혼합 신호 CAD 툴과 호환 가능하다. 첨단 다이 스티칭 및 프로토타이핑을 위한 셔틀 서비스와 온세미컨덕터의 특별 서비스 또한 ONC18-기반의 설계에서 이용할 수 있다.

보다 자세한 정보는 Kirk Peterson의 이메일(kirk.peterson@onsemi.com)로 연락하거나 www.onsemi.com을 방문하면 얻을 수 있다.