키오시아와 샌디스크는 메모리 및 스토리지의 미래 콘퍼런스(Future of Memory and Storage Conference, FMS)에서 차세대 쿼드레벨셀(Quad-Level-Cell, QLC) 3D 플래시 메모리 기술을 공개했다. 이 기술은 8세대 대비 비트 집적도를 최대 60% 향상시켜 37Gb/mm²를 초과함으로써 비트 집적도, 성능, 전력 효율성에서 업계 기준을 수립했다.

양사의 혁신적인 CMOS 어레이 직접 접합(CBA) 기술을 활용하는 이 차세대 기술은 CMOS 로직과 메모리 어레이를 별도의 웨이퍼에 제조한 후 고정밀 웨이퍼 대 웨이퍼 정렬로 결합해 8세대 3D 플래시 메모리 대비 읽기 및 쓰기 대역폭을 향상시키며 초당 4.8기가비트(Gb/s) 인터페이스를 구현한 QLC 3D 플래시 메모리 기술이 됐다.

추가적인 인터페이스 개선으로 입출력(I/O) 데이터 출력 전송 전력 효율성이 향상됐다. 이러한 대규모 전력 효율성 업그레이드는 최신 AI 및 클라우드 인프라의 전력 및 냉각 과제를 직접 해결한다.

10세대 QLC 3D 플래시 메모리 기술의 주요 특징은 다음과 같다.

· 332단 아키텍처와 최적화된 플로어플랜(floorplan) 설계로 8세대 대비 비트 집적도를 최대 60% 향상시켜 37Gb/mm² 이상을 달성

· 고속 인터페이스의 완전한 잠재력을 실현하기 위한 토글 DDR6.0과 개별 커맨드 어드레스(SCA) 프로토콜을 통한 4.8Gb/s3 낸드 인터페이스 지원

· 집적도 스케일링, 성능, 제조 효율성을 향상시키는 CMOS 어레이 직접 접합(CBA) 아키텍처

· I/O 데이터 출력 전송 전력 효율성을 향상시키는 전력 분리형 저탭 터미네이션(PI-LTT, Power-Isolated Low-Tapped Termination)

조지영 기자 : miyoujj@noteforum.co.kr

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