삼성전자, 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산
컴퓨팅
2009.07.21
삼성전자, 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산
- 40나노급 공정 적용으로 50나노 대비 약 60% 생산성 증가 · 신공정 양산 : '07.3월 60나노 → '08.4월 50나노 → '09.7월 40나노- 동작전압 1.35V, 1.6Gbps 데이터 처리로 1.5V 제품 대비 20% 성능 향상 · 2G 세계최초 양산 : '07.9월 DDR2(1.8V, 60나노) · → '08.9월 DDR3(1.5V, 50나노) → '09.7월 DDR3(1.35V, 40나노)- 2Gb DDR...