인텔이 지난주 중국 다롄에서 제조된 QLC 낸드 다이를 기반으로 1,000만 개째 인텔 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브를 생산했다고 발표했다.

인텔 QLC 3D 낸드는 인텔 SSD 660p, 인텔  SSD 665p 및 인텔 옵테인(Optane) 메모리 H10 스토리지 솔루션에 사용된다. 인텔의 QLC 드라이브는 셀 당 4 비트로, 64단 및 96단 낸드 사양에 데이터를 저장한다.

인텔은 지난 10여년간 이 기술을 개발해왔다. 2016년 인텔 엔지니어들은 이미 검증된 플로팅게이트(FG) 기술의 방향을 수직으로 바꿔 게이트 올 어라운드(Gate All-Around) 구조로 구성했다. 그 결과 발생하는 3D 트라이-레벨 셀(TLC) 기술은 다이 당 384 기가 바이트를 저장할 수 있었다.

김원영 기자 goora@noteforum.co.kr

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